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内存芯片低调破冰 追赶国外路有多长?|编辑荐读

来源于 《财新周刊》 2020年第28期 出版日期 2020年07月20日
中国DRAM芯片从0到1,正寻求市场突围。资本、专利、价格、人才重重挑战之下,国产存储追赶国外还有很长的路要走
首颗国产 DDR4 内存芯片。图/长鑫存储官方网站
 

  文|财新周刊 何书静

  尝试内存芯片产业化30年之后,中国首款自主研发的DRAM芯片终于投入市场。2020年5月以来,多款搭载长鑫存储10纳米级双倍数据速率(DDR4)芯片的内存条低调上市,下游合作厂商包括江波龙光威等。

  10纳米级工艺经历两次技术迭代,最初为1X纳米工艺,介于16至19纳米之间;1Y纳米工艺在14至16纳米之间,最新的1Z纳米工艺在12至14纳米之间。2019年3月,三星宣布开发1Z纳米工艺的8Gb DDR4产品。长鑫存储这款刚投产半年多的DRAM芯片则采用19纳米工艺。

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版面编辑:杨胜忠
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