内存芯片低调破冰 追赶国外路有多长？｜编辑荐读

　　文｜财新周刊 何书静

　　尝试内存芯片产业化30年之后，中国首款自主研发的DRAM芯片终于投入市场。2020年5月以来，多款搭载长鑫存储10纳米级双倍数据速率（DDR4）芯片的内存条低调上市，下游合作厂商包括江波龙、光威等。

　　10纳米级工艺经历两次技术迭代，最初为1X纳米工艺，介于16至19纳米之间；1Y纳米工艺在14至16纳米之间，最新的1Z纳米工艺在12至14纳米之间。2019年3月，三星宣布开发1Z纳米工艺的8Gb DDR4产品。长鑫存储这款刚投产半年多的DRAM芯片则采用19纳米工艺。