答疑（《财新周刊》2019年第38期）

　　北京读者 石毅：

　　中国首款自主研发的DRAM芯片近日投产，并预计于年底正式交付，这将给存储器产业带来哪些影响？

　　本刊产业新闻部：

　　在9月20日的2019世界制造业大会上，长鑫存储董事长兼CEO朱一明介绍，长鑫存储研发的10nm第一代8Gb核心的双倍数据速率（DDR4）内存芯片投产。该芯片已通过多个大客户验证，并将于年底正式交付。另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

　　长鑫存储投产的这款DRAM芯片采用19nm工艺，与国际巨头仍有差距，但填补了国产DRAM芯片的空白。一位业内资深人士表示，受益于该芯片的推出，中国存储器可以实现中低端领域的部分替代，对国际DRAM存储巨头的市场策略也有一定的平衡作用。