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答疑(《财新周刊》2019年第38期)

来源于 《财新周刊》 2019年第38期 出版日期 2019年09月30日
可以听文章啦!

  北京读者 石毅:

  中国首款自主研发的DRAM芯片近日投产,并预计于年底正式交付,这将给存储器产业带来哪些影响?

  本刊产业新闻部:

  在9月20日的2019世界制造业大会上,长鑫存储董事长兼CEO朱一明介绍,长鑫存储研发的10nm第一代8Gb核心的双倍数据速率(DDR4)内存芯片投产。该芯片已通过多个大客户验证,并将于年底正式交付。另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

  长鑫存储投产的这款DRAM芯片采用19nm工艺,与国际巨头仍有差距,但填补了国产DRAM芯片的空白。一位业内资深人士表示,受益于该芯片的推出,中国存储器可以实现中低端领域的部分替代,对国际DRAM存储巨头的市场策略也有一定的平衡作用。

版面编辑:张柘
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